Files

Abstract

In this paper we present a new photo-sensible device based on ZnO/PEDOT:PSS heterojunction. The formation of ZnO layer was made by electrochemical deposition of Zn from zinc nitrate solution over a transparent ITO electrode on glass substrate. A precise thickness control of the Zn layer was performed by varying the current density during the deposition. A further open air thermal oxidation on hot plate was performed to convert the zinc to ZnO. In order to be structured the transparent conducting polymer PEDOT:PSS (poly(3,4-ethylenedioxythiophene) polystyrene sulfonate) was inkjet printed over the obtained ZnO layer. The current-voltage characteristic of the heterojunction was measured for daylight and dark modes. A Schottky barrier height as well as the ideality factor and series resistance has extracted using the forward current-voltage characteristics for both cases by using modified method for Schottky diode analysis.

В тази статия е представен нов фоточувствителен прибор, базиран на хетеропреход ZnO/PEDOT:PSS. Формирането на слоя от ZnO е направено чрез електрохимично отлагане на цинк в разтвор на цинков нитрат върху прозрачен електрод индиево-калаен оксид върху стъклена подложка. С регулиране на плътността на тока по време на процеса е постигнат прецизен контрол върху дебелината на слоя. Превръщането на отложения цинк в цинков оксид е осъществено чрез термично окисление във въздушна среда. Структурирането на прозрачния проводящ полимер PEDOT:PSS (поли(3,4-етилендиокситиофен) полистирен сулфонат е осъществено чрез струйно принтиране върху получения слой от цинков оксид. Измерена е волт-амперната характеристика на хетеропрехода в два режима – на тъмно и на дневна светлина. Височината на Шотки бариерата, идеалзиращият фактор и последователното съпротивление на прехода са определени посредством модифициран метод за анализ на Шотки диоди, използвайки измерената волтамперна характеристика в двата режима.

Details

Actions

Preview